1、在uv cure(紫外固化)工艺中，光源的均匀性和效率是影响固化质量的主要的因素。通常，uv cure设备用于半导体制造中的光刻胶固化、封装材料固化等工艺中，要求uv光在晶圆表面具有均匀的光强分布，以确保整个固化区域的固化效果一致。此外，uv cure工艺的精度还直接影响到后续的工艺步骤，因此对uv光源系统的设计和优化提出了很高的要求。
2、在uv cure设备中，紫外线固化光源产生的uv光通常通过主反射镜反射到待处理的晶圆表面，进而达到均匀照射的目的。
4、1)传统的平面、球面或抛物面反射镜难以实现大面积均匀照射。光在反射后会在晶圆表明产生不均匀的光斑，因此导致固化区域内的固化效果不一致。
5、2)主反射镜对uv光的反射率有限，部分光能在反射时损失，导致光源的能量浪费。此外，传统反射镜对光束的不同波段的反射控制能力比较差，未能将光能高效集中在目标区域，逐步降低了光能利用率。
1、本发明的目的是提供一种主反射镜以及紫外线固化设备，解决现存技术的主反射镜在晶圆表明产生不均匀的光斑，导致固化区域内固化效果不一致的问题。
2、本发明的另一个目的是提供一种主反射镜以及紫外线固化设备，解决现存技术的主反射镜对光束的不同波段的反射控制能力比较差，降低了光源的能量利用率以及紫外固化效果的问题。
3、为实现上述目的，本发明提供了一种主反射镜，应用于紫外线固化设备，所述主反射镜，用于反射紫外线固化光源发出的光线至半导体晶圆表面；
6、在一些实施例中，所述主反射镜的多项式曲面方程为五次多项式，对应表达式为：
11、在一些实施例中，所述主反射镜的反射率设置在特定范围，用于优化紫外波段的光线的反射效率，提高晶圆表面的紫外固化效果。
20、为实现上述目的，本发明提供了一种紫外线固化设备，至少包括紫外线固化光源以及主反射镜：
21、所述紫外线固化光源，配置于腔体顶部的主反射镜内，用于产生紫外线、所述主反射镜为，用于将紫外线固化光源的紫外线反射至半导体晶圆表面。
23、在一些实施例中，所述紫外线固化设备，还包括石英光学窗，设置在主反射镜与紫外线光源的下方，并位于半导体晶圆上方，用于保护半导体晶圆的同时透射紫外线至半导体晶圆表面。
25、所述晶圆控温载台，设置在半导体晶圆底部，用于控制调节半导体晶圆的温度。
26、本发明提出的主反射镜以及紫外线固化设备，通过对主反射镜面型和反射率的优化，实现了uv光照的高均匀性和高效率，在uv cure工艺中可提供稳定、均匀的光照，满足特定工艺规格要求的同时，提高了工艺效果和产品质量。
1.一种主反射镜，应用于紫外线固化设备，其特征是，所述主反射镜，用于反射紫外线固化光源发出的光线至半导体晶圆表面；
2.根据权利要求1所述的主反射镜，其特征是，所述主反射镜的多项式曲面方程为五次多项式，对应表达式为：
4.根据权利要求1或权利要求2所述的主反射镜，其特征是，所述主反射镜的反射率设置在特定范围，用于优化紫外波段的光线所述的主反射镜，其特征是，所述主反射镜的反射率满足以下条件：
6.根据权利要求4所述的主反射镜，其特征是，所述主反射镜的反射率满足以下条件：
7.根据权利要求4所述的主反射镜，其特征是，所述主反射镜的反射率满足以下条件：
8.一种紫外线固化设备，其特征是，至少包括紫外线固化光源以及主反射镜：
9.根据权利要求8所述的紫外线固化设备，其特征是，还包括石英光学窗，设置在主反射镜与紫外线光源的下方，并位于半导体晶圆上方，用于保护半导体晶圆的同时透射紫外线至半导体晶圆表面。
10.根据权利要求8所述的紫外线固化设备，其特征是，还包括晶圆控温载台：
本发明涉及紫外线固化技术领域，更具体地说，涉及一种主反射镜以及紫外线固化设备。本发明提供了一种主反射镜，应用于紫外线固化设备，所述主反射镜，用于反射紫外线固化光源发出的光线至半导体晶圆表面；所述主反射镜的内凹面的面型曲线符合特定的多项式曲面方程：所述多项式曲面方程，用于优化紫外线在半导体晶圆表面的光照均匀性。本发明提出的主反射镜以及紫外线固化设备，通过对主反射镜面型和反射率的优化，实现了UV光照的高均匀性和高效率，满足特定工艺规格要求的同时，提高了工艺效果和产品质量。